三星公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品下线上市

据了解，三星高端存储芯片二期第一阶段项目总投资70亿美元，目前已具备量产能力，预计今年8月份可实现满产。三星高端存储芯片二期第二阶段项目总投资80亿美元，已于2019年年底启动建设，预计2021年上半年建成投产。

记者采访了解，春节期间，三星（中国）半导体有限公司在原有全封闭生产的基础上，采取设置热成像测温仪24小时捕捉测温、建立AB角和人员备案制度等多重“抗疫”措施，生产没有停工。

“西安作为内陆改革开放新高地，正在建设国家中心城市，同时也是古丝绸之路的起点，在中国改革开放进程中扮演着重要的角色；三星投资西安以来，与陕西省、西安市、高新区的合作顺利高效，三星半导体对西安经济发展充满信心！”池贤基表示，公司将加派人力，加强管理做好防疫工作，达成既定目标。

三星（中国）半导体有限公司生产的主要产品为3D V-Nand 闪存芯片，目前产品通过韩国总部远销欧美、东南亚等地。三星高端存储芯片项目于2012年落户西安高新区。2019年，一期项目和封装测试项目全部实施完毕，并实现满负荷量产，实现产值513亿元人民币。