中国北车宣布：完全自主知识产权高压大功率IGBT芯片研制成功（芯片的封装测试在西安）

中证网讯　9月12日11：39，中国北车完全自主知识产权高压大功率IGBT芯片和模块产品发布会在西安举行，中国北车宣布，由中国北车集团所属的上海北车永电电子科技有限公司设计制造的3300V/50A IGBT芯片及3300V/100A FRD芯片通过专家鉴定。承担IGBT模块封装项目的是西安永电电气有限责任公司，这是国内首件自主设计制造的大功率IGBT芯片通过鉴定。
    作为新一代功率半导体器件，IGBT具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。如在轨道交通领域，牵引传动系统是动车组、机车等装备的核心部件，而IGBT又是牵引传动系统的核心部件，是“核心中的核心”。

据推测，技术来源于收购的丹尼斯公司

打造世界半导体城市

有知道这地方待遇的吗

封测第一城了？

呵呵呵

西安需要加大半导体行业的支持!

模拟，全靠前期经验和制造工艺，除非研究上二三十年，否则只能靠收购积累技术。

这是大功率半导体，和三星那些还不太一样。

电流还不够大，国外西门子、三菱等已有2000A问世，大容量变频、逆变需要。不错了！先解决有的问题再说。